Оксид гафния(IV)

14.07.2023
Оксид гафния(IV) — бинарное неорганическое соединение металла гафния и кислорода с формулой HfO2, бесцветные кристаллы или белый порошок, не растворим в воде, из растворов солей выделяется в виде гидрата.
Получение
- Сжиганием металлического гафния в кислороде:
- Действием перегретым паром на металлический гафний:
- Разложением при нагревании дигидроксид-оксида гафния:
- Окислением кислородом хлорида гафния(IV):
- Разложением при нагревании оксид-дихлорида гафния:
- Разложением перегретым паром оксид-дихлорида гафния:
- Пиролизом оксалата, сульфата и других солей гафния:
Физические свойства
Оксид гафния(IV) представляет собой бесцветные кристаллы, в мелкодисперсном состоянии — белый порошок, кристаллизуется в нескольких кристаллических модификациях:
- Моноклинная сингония, параметры ячейки a = 0,511 нм, b = 0,514 нм, c = 0,528 нм, β = 99,73°, плотность 9,68 г/см³, устойчива при температуре ниже 1650°С.
- Тетрагональная сингония, параметры ячейки a = 0,514 нм, c = 0,525 нм, плотность 10,01 г/см³, устойчива при температуре от 1650°С и до ≈2500°С.
- Кубическая сингония, параметры ячейки a = 0,511 нм, плотность 10,43 г/см³, устойчива при температуре выше ≈2500°С.
Не растворяется в воде, р ПР = 63,94.
Химические свойства
При осаждении из водных растворов образуется осадок плохо растворимого желтоватого гидрата состава HfO2•n H2O.
Прокалённый оксид гафния химически более инертен.
- Гидратированная форма при нагревании разлагается до дигидроксид-оксида гафния:
- Медленно реагирует с серной кислотой:
- Реагирует с концентрированной плавиковой кислотой:
- Реагирует с галогенами в присутствии восстановителей:
- При сплавлении с гидроксидами, оксидами щелочных металлов образует соли гафниевой кислоты — гафнаты:
Применение
- Для изготовления регулирующих стержней ядерных реакторов так как гафний имеет высокое сечение захвата для тепловых нейтронов.
- В качестве просветляющего покрытия оптических деталей.
- Как компонент специальных стёкол и огнеупоров.
- Как добавка к вольфраму при изготовлении нитей накаливания электрических ламп.
- В микроэлектронике применяется как замена оксида кремния при изготовлении МДП-транзисторов благодаря высокому коэффициенту относительной диэлектрической проницаемости, превышающему в 5—7 раз этот показатель у традиционно использовавшегося в качестве подзатворного диэлектрика диоксида кремния.
- Позволяет диагностировать и лечить зубной налет при регулярном стоматологическом осмотре.